ポジティブ型感光性ポリイミド組成物
专利摘要:
本発明は、ポリイミド、ポリアミック酸、および光活性化合物(photoactive compound)を含むポジティブ型感光性ポリイミド組成物に関する。前記ポジティブ型感光性ポリイミド組成物を適用した有機発光素子(OLED、organic light−emitting devices)用有機絶縁膜は、傾斜角(taper angle)およびガス放出(outgassing)を制御することができ、基材に対する接着力(adhesion)、撥水制御機能、貯蔵安定性などが優れている。 公开号:JP2011514985A 申请号:JP2010549578 申请日:2009-03-06 公开日:2011-05-12 发明作者:キュン−ジュン・キム;セ−ジン・シン;チャン−ヒョ・パク;ドン−ヒュン・オ;ヒェ−イン・シン;ヒェ−ラン・ソン 申请人:エルジー・ケム・リミテッド; IPC主号:G03F7-023
专利说明:
[0001] 本発明は、ポリイミド、ポリアミック酸、および光活性化合物(photoactive compound)を含むポジティブ型感光性ポリイミド組成物に関する。 本出願は、2008年3月7日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10−2008−0021535号の出願日の利益を主張し、その内容すべては本明細書に含まれる。] 背景技術 [0002] 最近、有機発光素子の層間絶縁膜などを形成するには、耐熱性の感光性ポリイミドが多く用いられている。] [0003] 感光性ポリイミドは耐熱性、機械的強度などの物理的特性に優れており、低誘電率および高絶縁性などの優れた電気特性の他にもコーティング表面の平坦化特性が良く、素子の信頼性を低下する不純物の含有量が極めて低く、微細形状を容易に生成することができるという長所がある。] [0004] このようなポリイミドは、ネガティブ(negative)方式の感光性ポリイミドとポジティブ(positive)方式の感光性ポリイミドとに区分されるが、後述する理由などにより、ポジティブ(positive)方式の感光性ポリイミドに関する研究が活発に進められている。] [0005] 第1に、ネガティブ(negative)方式の感光性ポリイミドよりも優れた解像力を有する。第2に、ネガティブ(negative)方式の感光性ポリイミドよりも相対的に光照射面積が小さいため、それだけ不良が発生する可能性が低い。第3に、ネガティブ方式では現像液としてN−メチル−2−ピロリドン(NMP)またはジメチルアセトアミド(DMAc)のような有機溶媒を用いるために費用や廃水処理などの環境的な側面において問題があるのに比べ、現像液としてアルカリ水溶液を用いるポジティブ方式は費用が節減されて環境親和的である。] [0006] 具体的に、下記のように、ポジティブ方式の感光性ポリイミドに関する特許が開示されている。] [0007] 特許文献1および特許文献2には、ポリイミド前駆体としてポリアミック酸と溶解抑制剤であるナフトキノンジアジド(naphtoquinonediazide)化合物を混合し、露光部と非露光部の溶解速度の差によってパターンを製造する方法が開示されているが、それぞれが高解像度のパターンを形成することができる程、露光部と非露光部間の溶解速度の差が大きくないという問題点がある。] [0008] また、特許文献3には、ヒドロキシ基を有する可溶性ポリイミドとナフトキノンジアジド化合物を混合して使用する方法が開示されているが、感光剤の添加量が多くてポリイミド前駆体の構造が限定されており、物性が脆弱であるという問題点がある。] [0009] また、特許文献4には、前駆体に感光基であるo−ニトロベンジルエステル(o−nitrobenzylester)基をエステル結合させる方法が開示されているが、低い強度によってフィルム厚さの向上が困難であるという問題点がある。] [0010] さらに、特許文献5および特許文献6には、ポリアミック酸のカルボキシ基を酸によって解離可能なアセタール基に置換させ、得られた樹脂を光酸発生剤と混合して製造した化学増幅型組成物が開示されている。しかしながら、前記組成物の残膜率は優れているが、硬化後の膜収縮率が高くて物性が脆弱であるという問題点がある。] [0011] このように、ポジティブ方式の感光性ポリイミドは長所が多くあるにもかかわらず、上述したような克服しなければならない技術的問題点により、現在まで商品化が本格的になされずにいる。] 先行技術 [0012] 特開昭52−13315号公報 特開昭62−135824号公報 特開昭64−60630号公報 特開昭60−37550号公報 特開平7−33874号公報 特開平7−134414号公報] 発明が解決しようとする課題 [0013] 本発明は上述したような従来技術の問題点を解決するためのものであって、傾斜角およびガス放出を制御することができ、接着力、撥水制御機能、貯蔵安定性などが優れたポジティブ型感光性ポリイミド組成物およびこれを含む有機発光素子用有機絶縁膜を提供することを目的とする。] 課題を解決するための手段 [0014] 本発明は、1)ポリイミド、2)ポリアミック酸、および3)光活性化合物(photoactive compound)を含むことを特徴とするポジティブ型感光性ポリイミド組成物を提供する。] [0015] また、本発明は、前記感光性ポリイミド組成物から得られた感光性フィルムを含む有機発光素子用有機絶縁膜を提供する。] 発明の効果 [0016] 本発明に係るポジティブ型感光性ポリイミド組成物を用いて製造されるOLED用有機絶縁膜は、低い傾斜角(taper angle)およびガス放出(Outgassing)を制御することができ、接着力(adhesion)、撥水制御機能、貯蔵安定性などに優れており、前記有機絶縁膜を含む有機発光素子は高解像度を実現することができる。] [0017] 以下、本発明について詳しく説明する。 本発明に係るポジティブ型感光性ポリイミド組成物は、ポリイミドを含んでおり、傾斜角およびガス放出を制御することができ、接着力、撥水制御機能、貯蔵安定性に優れている。] [0018] 具体的に、前記本発明に係るポジティブ型感光性ポリイミド組成物は、 1)下記化学式(1)で表示される反復単位を含むポリイミド、 2)下記化学式(2)で表示される反復単位を含むポリアミック酸、および 3)光活性化合物(photoactive compound)を含むことを特徴とする。] [0019] ] [0020] 前記化学式(1)において、 mは1〜30の整数であり、nは1〜10の整数であり、 Xは4価の芳香族有機基であり、Y1は2価の芳香族有機基であり、Y2は2価のシリコン系置換基であり、 前記化学式(2)において、 lは1〜20の整数であり、 Xは4価の芳香族有機基であり、Y2は2価のシリコン系置換基である。] [0021] 前記化学式(1)または(2)で表示される反復単位において、Xは下記化学式で表示される4価の芳香族有機基からなる群より選択された1つであることが好ましいが、これに限定されるものではない。] [0022] また、前記化学式(1)で表示される反復単位において、Y1は下記化学式で表示される2価の芳香族有機基からなる群より選択された1つであることが好ましいが、これに限定されるものではない。] [0023] また、前記化学式(1)または(2)で表示される反復単位において、Y2は下記化学式で表示される2価のシリコン系置換基であることが好ましいが、これに限定されるものではない。] [0024] 前記化学式(3)において、 pは3〜5の整数であり、 Rは互いに同じであるか異なってもよく、−CH3、−CH2CH3、および−CH2CH2CH3からなる群より選択された1つであり、 RaおよびRbは互いに同じであるか異なってもよく、それぞれ独立的に炭素数3〜5の直鎖または分枝鎖アルキレン基である。] [0025] 一般的に、ポリイミドは、ポリアミック酸またはポリアミック酸エステルよりも貯蔵安定性が優れており、低温硬化が可能である。さらに、イミド化過程において放出される水分やアルコール類がないため、ガス放出制御が可能である。] [0026] 化学式(1)で表示される反復単位を含むポリイミドは、このような優れた物性を有するポリイミドにフェノール性水酸基を有することが特徴である。前記フェノール性水酸基を有することにより、現像液であるアルカリ水溶液に対する溶解度が優れた特性を示す。前記ポリイミドは、場合によっては末端に分子量分布を調節するための末端官能基を有してもよい。また、前記ポリイミドはシリコン系置換基を含んでおり、そうではない場合に比べて低い傾斜角実現に優れた効果を示す。] [0027] 前記化学式(2)で表示される反復単位を含むポリアミック酸は、前記化学式(3)で表示されるシリコン系置換基を含んでおり、低い傾斜角(taper angle)を制御することができ、適切なガラス遷移温度(Tg)および撥水制御機能を提供することができる。特に、前記ポリアミック酸はシリコン系置換基を含んでおり、疎水性が強いシリコン部分が表面層を形成して二重膜構造の有機絶縁膜を生成させる特徴がある。前記二重膜構造は撥水制御機能を向上させる優れた効果を示す。前記ポリアミック酸は、場合によっては末端に分子量分布を調節するための末端官能基を有してもよい。] [0028] 前記ポリイミドおよびポリアミック酸が有し得る末端官能基は、ヘキサヒドロイソベンゾフラン−1,3−ジイオン、無水フタル酸、およびアニリンからなる群より選択された1つであることが好ましいが、これに限定されるものではない。] [0029] 本発明に係るポジティブ型感光性ポリイミド組成物に含まれる前記光活性化合物(photoactive compound)はジアゾナフトキノン系感光性物質を含み、光を受けたときに酸を発生させることができる化合物を意味する。これは、下記化学式で表示される化合物からなる群より選択される1種以上を含むことが好ましい。] [0030] 前記化学式において、ODは であり、 n’は5〜20の整数である。] [0031] 本発明に係るポジティブ型感光性ポリイミド組成物は、ポリイミド60〜95重量%およびポリアミック酸5〜40重量%を含み、前記ポリイミドとポリアミック酸の総重量100重量部を基準として光活性化合物(photoactive compound)1〜50重量部を含むことが好ましい。前記重量は、固形分を基準として計算した値である。] [0032] ポリアミック酸の含有量が前記範囲である場合、傾斜角が高くならずにフォト特性が十分に速く、コーティング表面にスカム(scum)が生じたり過度現像現象が起こることを防ぐのに有利である。] [0033] 前記ポジティブ型感光性ポリイミド組成物は、接着力増進剤、界面活性剤、および溶媒を含む群より選択される1種以上を追加で含むことが好ましい。] [0034] 前記接着力増進剤は、基板との接着性を向上させる作用を有する成分であり、例えば、カルボキシル基、メタクリロイル基、ビニル基、イソシアネート基、エポキシ基などの反応性官能基を有するシランカップリング剤が好ましい。具体的には、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、およびβ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランからなるグループより選択した1種以上であるが、これに限定されるものではない。] [0035] 前記接着力増進剤の含有量は、前記ポリイミドとポリアミック酸の総重量100重量部を基準として0.01〜10重量部であることが好ましい。] [0036] 前記界面活性剤も基板に対するコーティング性と塗布性、均一性、および汚れ除去を向上させる作用を有する成分であって、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、および非イオン系界面活性剤からなるグループより選択された1種以上であるが、これに限定されるものではない。] [0037] 前記界面活性剤の含有量は、前記ポリイミドとポリアミック酸の総重量100重量部を基準として0.01〜10重量部であることが好ましい。] [0038] 前記溶媒は、前記ポリイミド系高分子化合物を溶解させることができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、N−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、m−クレゾール、γ−ブチロラクトン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノン、およびシクロペンタノンからなるグループより選択された1種以上である。] [0039] また、本発明に係る前記ポジティブ型感光性ポリイミド組成物を用いて製造されたOLED用有機絶縁膜は、表面にシリコンの部分が形成される二重膜構造が完成される。前記シリコンの部分は疎水性が強いため、前記有機絶縁膜は撥水制御機能が優れている。] [0040] 本発明に係るOLED用有機絶縁膜の製造方法において、基板上にポジティブ型感光性ポリイミド組成物を塗布する方法は特に制限されるものではなく、当技術分野に知られた方法を用いてもよい。例えば、スピンコーティング(spin coating)、ディップコーティング(dip coating)、ロールコーティング(roll coating)、スクリーンコーティング(screen coating)、スプレーコーティング(spray coating)、フローコーティング(flow coating)、スクリーンプリンティング(screen printing)、インクジェット(inkjet)、ドロップキャスティング(drop casting)などのコーティング方法を用いてもよい。] [0041] 本発明のポジティブ型感光性ポリイミド組成物は、現像液としてアルカリ水溶液を用いてもよいが、これは有機溶媒よりも環境親和的かつ経済的である。前記アルカリ現像液の例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの水酸化4級アンモニウムの水溶液、またはアンモニア、エチルアミン、プロピルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミンなどのアミン系水溶液を挙げてもよい。このうち、一般的にはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が最も多く用いられる。] [0042] 一実施形態として、前記ポジティブ型感光性ポリイミド組成物をシリコンウエハ基板にスピンコーティング(spin coating)させ、約120℃で2分間の前熱処理(prebake)をさせてフィルムを形成させる。前記フィルムをフォトマスク(photomask)を用いてi、g、hラインの単一紫外線や混合光の紫外線を用いる。露光量はコーティングされたフィルムの厚さによって異なるが、通常は500〜1000mJ/cm2のエネルギーで露光させる。露光が終わった後、パターンを0.38〜2.39wt%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像させる。通常、現像は30〜120秒間で行い、現像後に脱イオン水に10〜30秒間の浸漬を行って洗浄させる。この後、230℃で約30〜60分間の後熱処理(postbake)を行って所望するパターンを得るようになる。この過程により、所望する部位にフォトマスクのパターンによってポジティブ型パターンが形成されることを知ることができる。] [0043] このように得られた本発明の絶縁膜の厚さは目的に応じて異なることがあり、0.7〜10μmが好ましいが、これに限定されるものではない。] [0044] 以下、本発明の理解のために、好ましい実施例を提示する。 しかしながら、下記実施例は本発明を例示するためのものに過ぎず、これによって本発明の範囲が限定されるものではない。] [0045] <製造例1>ポリイミド(PI−1)の製造 酸無水物成分として4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物133g(0.30モル)、ジアミン成分としてビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン87g(0.31モル)と1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン16g(0.07モル)をGBL(γ−butyrolactone)460g、トルエン92g中に溶解させ、180℃で3時間の反応を行いながらディーン−スターク(Dean−Stark)装置を用いて生成された水を除去した。そして、180℃で1時間の加熱を行いながら溶液中のトルエンを除去した後、固形分濃度が34%であり、固有粘度0.52dl/gである下記化学式(4)で表示されるポリイミド(PI−1)、711gを得た。] [0046] ] [0047] <製造例2>ポリイミド(PI−2)の製造 酸無水物成分として4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物133g(0.30モル)、ジアミン成分としてビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン87g(0.31モル)と4,4’−オキシジアニリン13g(0.07モル)をGBL(γ−butyrolactone)450g、トルエン91g中に溶解させ、180℃で3時間の反応を行いながらディーン−スターク(Dean−Stark)装置を用いて生成された水を除去した。そして、180℃で1時間の加熱を行いながら溶液中のトルエンを除去した後、固形分濃度が34%であり、固有粘度0.61dl/gである下記化学式(5)で表示される構造のポリイミド(PI−2)、720gを得た。] [0048] ] [0049] <製造例3>ポリアミック酸(PAA−1)の製造 酸無水物成分として4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物93g(0.21モル)、ジアミン成分として1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン45g(0.18モル)をGBL(γ−butyrolactone)410g中に溶解させて常温で24時間の反応を行い、固形分濃度が25%であり、固有粘度0.74dl/gである下記化学式(6)で表示されるポリアミック酸(PAA−1)、400gを得た。] [0050] ] [0051] <製造例4>ポリアミック酸(PAA−2)の製造 酸無水物成分として4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物93g(0.21モル)、ジアミン成分として4,4’−オキシジアニリン36g(0.18モル)をGBL(γ−butyrolactone)380g中に溶解させて常温で24時間の反応を行い、固形分濃度が25%であり、固有粘度0.81dl/gである下記化学式(7)で表示されるポリアミック酸(PAA−2)、400gを得た。] [0052] ] [0053] <実施例1> 前記製造例1で製造されたポリイミド(PI−1)35g、製造例3で製造されたポリアミック酸(PAA−1)20gに対して、光活性化合物(photoactive compound)として下記化学式(8)で表示されるジアゾナフトキノンエステル化合物(TPPA320:OD/(OD+OH)=2/3の比率によってOHおよびODのうちで選択的に与えられる)7g、溶媒GBL38gを加えて室温で1時間の攪拌を行った後、0.2μmフィルタによって濾過してポジティブ型感光性ポリイミド組成物Aを製造した。] [0054] ] [0055] <実施例2> 前記製造例1で製造されたポリイミド(PI−1)40g、製造例3で製造されたポリアミック酸(PAA−1)13gに対して、光活性化合物(photoactive compound)として前記化学式(8)で表示されるジアゾナフトキノンエステル化合物(TPPA320)7g、溶媒GBL40gを加えて室温で1時間の攪拌を行った後、0.2μmフィルタによって濾過してポジティブ型感光性ポリイミド組成物Bを製造した。] [0056] <比較例1> 前記製造例1で製造されたポリイミド(PI−1)55gに対して、光活性化合物(photoactive compound)として前記化学式(8)で表示されるジアゾナフトキノンエステル化合物(TPPA320)7g、溶媒GBL38gを加えて室温で1時間の攪拌を行った後、0.2μmフィルタによって濾過してポジティブ型感光性ポリイミド組成物Cを製造した。] [0057] <比較例2> 前記製造例3で製造されたポリアミック酸(PAA−1)53gに対して、光活性化合物(photoactive compound)として前記化学式(8)で表示されるジアゾナフトキノンエステル化合物(TPPA320)7g、溶媒GBL40gを加えて室温で1時間の攪拌を行った後、0.2μmフィルタによって濾過してポジティブ型感光性ポリイミド組成物Dを製造した。] [0058] <比較例3> 前記製造例2で製造されたポリイミド(PI−2)35g、製造例4で製造されたポリアミック酸(PAA−2)20gに対して、光活性化合物(photoactive compound)として前記化学式(8)で表示されるジアゾナフトキノンエステル化合物(TPPA320)7g、溶媒GBL38gを加えて室温で1時間の攪拌を行った後、0.2μmフィルタによって濾過してポジティブ型感光性ポリイミド組成物Eを製造した。] [0059] <比較例4> 前記製造例1で製造されたポリイミド(PI−1)35g、製造例4で製造されたポリアミック酸(PAA−2)20gに対して、光活性化合物(photoactive compound)として前記化学式(8)で表示されるジアゾナフトキノンエステル化合物(TPPA320)7g、溶媒GBL38gを加えて室温で1時間の攪拌を行った後、0.2μmフィルタによって濾過してポジティブ型感光性ポリイミド組成物Fを製造した。] [0060] <比較例5> 前記製造例2で製造されたポリイミド(PI−2)35g、製造例3で製造されたポリアミック酸(PAA−1)20gに対して、光活性化合物(photoactive compound)として前記化学式(8)で表示されるジアゾナフトキノンエステル化合物(TPPA320)7g、溶媒GBL38gを加えて室温で1時間の攪拌を行った後、0.2μmフィルタによって濾過してポジティブ型感光性ポリイミド組成物Gを製造した。] [0061] <実験例1>最適露光エネルギー、残膜率、接着性、傾斜角測定値、撥水力、二重膜構造などの物性評価 前記実施例および比較例で製造された感光性組成物溶液をそれぞれ4”ウエハにスピンコーティング(spin coating)し、ホットプレートで120℃、120秒間の前熱処理(prebake)を行って1.4μmの厚さのフィルムを形成させた。前熱処理が完了したウエハをG−lineステッパーNikon NSR 1505 G4によって20mJ/cm2から5mJ/cm2の間隔で600mJ/cm2まで順に露光させたが、このときに用いたマスクには1μmから10μmまで1μmの間隔でライン/スペースパターンおよび円形パターンが反復されている。2.38wt%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液中で23℃で60秒間の現像を行った後、超純水によって60秒間の洗浄および乾燥を行ってパターンを形成した。マスクのライン/スペースパターン10μmと同じパターンを転写させる最適露光エネルギーと現象後の非露光部における膜の残膜率を測定した。] [0062] 接着性は、Line&space maskを用いて露光したとき、現象後に残っている最小ピクセルの大きさを用いて決定した。] [0063] 傾斜角は20μmパターン断面の角度をSEMを用いて測定し、このときに二重膜が生成されるか否かを断面観察によって知ることができた。] [0064] 撥水力は、120℃で24時間、N2雰囲気下でTGAによって測定したときの重量減量によって測定した。] [0065] ] 実施例 [0066] 前記表1の結果のように、有機絶縁膜は、ポリイミドとポリアミック酸を混合して製造されたポジティブ型感光性ポリイミド組成物を用いて実施例のように感度を極大化させることができ、残膜率が高く、基材に対する優れた接着力を有する。何よりもパターンの傾斜角が低く、パターンの二重膜構造形成によって優れた撥水力を示すため、これを含む有機発光素子は優れた解像度を示すことができる] [0067] 本発明に係るポジティブ型感光性ポリイミド組成物を用いて製造されたOLED用有機絶縁膜は、低い傾斜角(taper angle)およびガス放出(Outgassing)を制御することができ、接着力(adhesion)、撥水制御機能、貯蔵安定性などに優れており、前記有機絶縁膜を含む有機発光素子は高解像度を実現することができる。]
权利要求:
請求項1 1)下記化学式(1)で表示される反復単位を含むポリイミド、2)下記化学式(2)で表示される反復単位を含むポリアミック酸、および3)光活性化合物(photoactivecompound)を含むことを特徴とするポジティブ型感光性ポリイミド組成物。前記化学式(1)において、mは1〜30の整数であり、nは1〜10の整数であり、Xは4価の芳香族有機基であり、Y1は2価の芳香族有機基であり、Y2は2価のシリコン系置換基であり、前記化学式(2)において、lは1〜20の整数であり、Xは4価の芳香族有機基であり、Y2は2価のシリコン系置換基である。 請求項2 前記Xは、下記化学式で表示される4価の芳香族有機基からなる群より選択された1つであることを特徴とする請求項1に記載のポジティブ型感光性ポリイミド組成物。 請求項3 前記Y1は、下記化学式で表示される2価の芳香族有機基からなる群より選択された1つであることを特徴とする請求項1に記載のポジティブ型感光性ポリイミド組成物。 請求項4 前記Y2は、下記化学式(3)で表示されることを特徴とする請求項1に記載のポジティブ型感光性ポリイミド組成物。前記化学式3において、pは3〜5の整数であり、Rは互いに同じであるか異なってもよく、−CH3、−CH2CH3、および−CH2CH2CH3からなる群より選択された1つであり、RaおよびRbは互いに同じであるか異なってもよく、それぞれ独立的に炭素数3〜5の直鎖または分枝鎖アルキレン基である。 請求項5 前記光活性化合物(photoactivecompound)は、下記化学式で表示される化合物からなる群より選択される1種以上を含むことを特徴とする請求項1に記載のポジティブ型感光性ポリイミド組成物。前記化学式において、ODはであり、n’は5〜20の整数である。 請求項6 前記ポジティブ型感光性ポリイミド組成物は、固形分であるポリイミド60〜95重量%およびポリアミック酸5〜40重量%を含み、前記ポリイミドとポリアミック酸の総重量100重量部を基準として光活性化合物(photoactivecompound)1〜50重量部を含むことを特徴とする請求項1に記載のポジティブ型感光性ポリイミド組成物。 請求項7 前記ポジティブ型感光性ポリイミド組成物は、接着力増進剤、界面活性剤、および溶媒からなる群より選択される1種以上を追加で含むことを特徴とする請求項1に記載のポジティブ型感光性ポリイミド組成物。 請求項8 請求項1に記載のポジティブ型感光性ポリイミド組成物を含む二重膜構造で形成された有機発光素子用有機絶縁膜。
类似技术:
公开号 | 公开日 | 专利标题 US8669038B2|2014-03-11|Polyimide-based polymers, copolymers thereof and positive type photoresist compositions comprising the same KR101183395B1|2012-09-14|포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 반도체장치 및 표시장치 KR101072953B1|2011-10-17|포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴형 수지막의 제조 방법, 반도체 장치, 표시소자, 및 반도체 장치 및 표시소자의 제조 방법 US6960420B2|2005-11-01|Photosensitive resin composition, process for forming relief pattern, and electronic component US6875554B2|2005-04-05|Positive photosensitive polyimide resin composition KR100532590B1|2005-12-01|감광성 폴리이미드 전구체용 가용성 폴리이미드 및, 이를포함하는 감광성 폴리이드 전구체 조성물 US7989578B2|2011-08-02|Negative photosensitive polyimide polymer and uses thereof KR101921919B1|2018-11-26|폴리아미드산 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 폴리이미드 옥사졸 수지 조성물 및 그것들을 함유하는 플렉시블 기판 TWI459141B|2014-11-01|正型光敏性樹脂組成物 KR101249568B1|2013-04-01|내열성 수지 전구체 및 그것을 사용한 감광성 수지 조성물 KR101586871B1|2016-01-19|감방사선 수지 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 및 반도체 디바이스 US6927012B2|2005-08-09|Polyamic acid resin composition US8338510B2|2012-12-25|Photosensitive siloxane composition, cured film formed therefrom and device having the cured film JP5061703B2|2012-10-31|感光性樹脂組成物 KR101175080B1|2012-10-26|내열성 수지 전구체 및 그것을 사용한 감광성 수지 조성물 KR100927071B1|2009-11-13|포지티브형 감광성 수지 조성물 TWI530760B|2016-04-21|噴塗用正型感光性樹脂組成物及使用該組成物之貫通電極之製造方法 KR100677814B1|2007-02-05|포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴의 제조 방법 및 전자부품 US10457779B2|2019-10-29|Tetracarboxylic acid diester compound, polyimide precursor polymer and method for producing the same, negative photosensitive resin composition, positive photosensitive resin composition, patterning process, and method for forming cured film JP4994238B2|2012-08-08|ポジ型感光性樹脂組成物 TWI448512B|2014-08-11|聚亞醯胺及光阻樹脂組成物 JP4330798B2|2009-09-16|ポジ型レジスト組成物 KR0148011B1|1998-08-01|포지티브 감광성의 폴리이미드 수지 조성물 JP2007183388A|2007-07-19|感光性樹脂組成物、耐熱性樹脂パターンの製造方法および有機電界発光素子 JP5517510B2|2014-06-11|ポリイミド−ポリアミド酸共重合体、その製造方法、それを含む感光性組成物およびこれにより提供される保護膜
同族专利:
公开号 | 公开日 CN101960382A|2011-01-26| CN101960382B|2014-01-01| US20110059397A1|2011-03-10| WO2009110764A3|2009-12-03| WO2009110764A2|2009-09-11| US8758976B2|2014-06-24| KR20090096365A|2009-09-10| JP5707136B2|2015-04-22|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题 JPH07138479A|1993-02-26|1995-05-30|Toshiba Corp|ポリアミド酸組成物および液晶素子| JPH1184653A|1997-09-11|1999-03-26|Hitachi Chem Co Ltd|耐熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法| JPH11338143A|1998-05-21|1999-12-10|Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd|ポジ型感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物及びこれを用いたレリーフパターンの製造法| JP2000199958A|1998-09-09|2000-07-18|Toray Ind Inc|ポジ型感光性樹脂組成物| WO2003029899A1|2001-09-26|2003-04-10|Nissan Chemical Industries, Ltd.|Positive photosensitive polyimide resin composition| JP2004156012A|2002-11-07|2004-06-03|Samsung Electronics Co Ltd|感光性ポリイミド前駆体用可溶性ポリイミドおよびこれを含む感光性ポリイミド前駆体組成物| JP2005242328A|2004-01-26|2005-09-08|Sumitomo Bakelite Co Ltd|ポジ型感光性樹脂組成物、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法| JP2007133377A|2005-10-12|2007-05-31|Toray Ind Inc|感光性樹脂組成物| JP2007183388A|2006-01-06|2007-07-19|Toray Ind Inc|感光性樹脂組成物、耐熱性樹脂パターンの製造方法および有機電界発光素子| JP2008040324A|2006-08-09|2008-02-21|Toray Ind Inc|樹脂組成物およびそれを用いたパターン化樹脂膜の製造方法|JP2010018802A|2008-07-09|2010-01-28|Lg Chem Ltd|ポリイミド−ポリアミド酸共重合体、その製造方法、それを含む感光性組成物およびこれにより提供される保護膜|JPH0159571B2|1983-08-09|1989-12-18|Mitsubishi Electric Corp|| DE3683464D1|1985-12-05|1992-02-27|Ibm|Photoresistzusammensetzungen mit vermindertem loesungsgrad in basischen entwicklern, auf basis von durch diazochinon sensibilisierter polyamidsaeure.| US4942108A|1985-12-05|1990-07-17|International Business Machines Corporation|Process of making diazoquinone sensitized polyamic acid based photoresist compositions having reduced dissolution rates in alkaline developers| US4927736A|1987-07-21|1990-05-22|Hoechst Celanese Corporation|Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom| JPH07134414A|1993-05-07|1995-05-23|Nitto Denko Corp|耐熱性ポジ型フォトレジスト組成物| JPH0733874A|1993-07-19|1995-02-03|Nitto Denko Corp|ポリイミド前駆体の製造方法| KR19980079775A|1997-03-03|1998-11-25|이사오 우치가사키|내열성 감광성 중합체조성물, 패턴의 제조법 및 반도체 장치| US6342333B1|1999-09-23|2002-01-29|Hitachi Chemical Dupont Microsystems, L.L.C.|Photosensitive resin composition, patterning method, and electronic components| KR100753745B1|2002-04-29|2007-08-31|삼성전자주식회사|포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물|KR101304590B1|2010-03-11|2013-09-05|주식회사 엘지화학|Oled 디바이스용 감광성 유기 절연재 조성물| WO2011126076A1|2010-04-09|2011-10-13|大日本印刷株式会社|薄膜トランジスタ基板| JP6417330B2|2012-11-30|2018-11-07|エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド|フレキシブル基板を含む有機発光素子およびその製造方法|
法律状态:
2012-01-25| A621| Written request for application examination|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120124 | 2013-06-11| A977| Report on retrieval|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130611 | 2013-06-26| A131| Notification of reasons for refusal|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 | 2013-09-26| A521| Written amendment|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130925 | 2013-12-11| A131| Notification of reasons for refusal|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 | 2014-03-11| A521| Written amendment|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140310 | 2014-06-10| A131| Notification of reasons for refusal|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140609 | 2014-09-06| A601| Written request for extension of time|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140905 | 2014-09-16| A602| Written permission of extension of time|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140912 | 2014-10-10| A521| Written amendment|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141009 | 2015-01-27| TRDD| Decision of grant or rejection written| 2015-02-03| A01| Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150202 | 2015-03-05| A61| First payment of annual fees (during grant procedure)|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150302 | 2015-03-06| R150| Certificate of patent or registration of utility model|Ref document number: 5707136 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 | 2018-03-06| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | 2019-02-26| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | 2020-03-02| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | 2021-03-02| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
优先权:
[返回顶部]
申请号 | 申请日 | 专利标题 相关专利
Sulfonates, polymers, resist compositions and patterning process
Washing machine
Washing machine
Device for fixture finishing and tension adjusting of membrane
Structure for Equipping Band in a Plane Cathode Ray Tube
Process for preparation of 7 alpha-carboxyl 9, 11-epoxy steroids and intermediates useful therein an
国家/地区
|